半導体封止材の設計・開発とその技術および半導体パッケージのトレンド

プログラム

1．デバイスの分類
　1.1 ICデバイス
　1.2 オプトデバイス
　1.3 パワーデバイス
　1.4 センサーデバイス

2．パワーデバイス
　2.1 パワーデバイスの用途
　2.2 パワーデバイスの封止法
　　2.2.1 ケース型モジュール
　　2.2.2 モールド型モジュール
　2.2 パワーデバイスのトレンド
　2.3 パワーデバイスと封止材の市場

3．ICデバイス
　3.1 ワイヤーボンドパッケージ
　　3.1.1 封止樹脂の成型法
　　3.1.2 封止樹脂の作業性
　3.2 フリップチップパッケージ
　　3.2.1 封止樹脂の成型法
　　3.2.2 封止樹脂の作業性
　3.3 WLP向け封止樹脂
　　3.3.1 FO-WLP/FI-WLPとは
　　3.3.2 FO-WLPの構造
　　　1) RDL First
　　　2) Chip First
　　3.3.3 FO-WLPの成型法
　　3.3.4 ヘテロジーニアスインテグレーションへの展開

4．半導体封止材の設計
　4.1 半導体封止材設計の基礎
　　4.1.1 エポキシ樹脂の選択
　　4.1.2 硬化剤の選択
　　4.1.3 添加剤の選択
　4.2 半導体封止材に共通の要求特性
　　4.2.1 高純度
　4.3 パワーデバイス向け封止材の要求特性
　　4.3.1 超高耐熱
　　4.3.2 難燃性
　4.4 ICパッケージ向け封止材の共通の要求特性
　　4.4.1 耐湿性
　　4.4.2 低応力
　　4.4.3 高接着性

5．次世代半導体封止材への要求とは
　5.1 高周波による伝送損失への対応
　　5.1.1 低誘電封止樹脂
　5.2 デバイスの発熱に対する対応
　　5.2.1 熱伝導性封止材
5.3 光電融合技術（CPO）
　　5.3.1 透明接着剤

質疑応答