半導体プロセスにおける検査・解析技術の基礎と最新技術動向〜光と電子で「見る」技術の最先端〜

セミナー概要

セミナーのテーマ

光学検査、電子顕微鏡、走査プローブ顕微鏡の基本原理
半導体プロセスにおける検査技術の種類と特徴
最新の検査・解析技術動向と将来展望

こんな方におすすめです

半導体プロセスにおける検査・解析の基礎から最新動向までを幅広く知りたい方
半導体デバイス・プロセス開発、製造、品質保証に関わる方
半導体のエネルギーバンド図に馴染みのある方

セミナータイトル	半導体プロセスにおける検査・解析技術の基礎と最新技術動向〜光と電子で「見る」技術の最先端〜
開催日時	【ライブ配信】 2026年1月23日（金）13:00～16:30 お申し込み期限：2026年1月23日（金）12:30まで【アーカイブ配信】視聴期間：2026年2月9日（月）～2026年2月24日（火）お申し込み期限：2026年2月9日（月）まで
開催場所/配信の補足・注意事項	■ライブ配信受講方法・接続確認はこちら（申込み前に必ずご確認ください）【ライブ配信】・本セミナーは、主催会社様HPのS&T会員マイページより視聴いただけます。・本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。【アーカイブ配信】・本セミナーは、主催会社様HPのS&T会員マイページより視聴いただけます。
受講料	49,500円定価：本体45,000円＋税4,500円 E-Mail案内登録価格：本体42,700円＋税4,270円お支払いについて主催会社の会員ページ上に視聴や資料の案内がございますので、S&T会員登録が必須となります。未登録の場合、主催会社より新規登録手続きをさせていただきます。 S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について受講者2名以上の場合：【2名同時申込で1名無料】対象セミナー 2名で49,500円 (2名ともE-Mail案内登録必須／1名あたり定価半額の24,750円) ▼1名分無料適用条件 ※2名様ともE-mail案内登録が必須です。 ※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。 ※3名様以上のお申込みの場合、１名あたり定価半額で追加受講できます。 ※請求書は、代表者にS&T会員マイページにて発行いたします（PDF）。 ※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。　(申込みフォームの通信欄に「請求書１名ごと発行」と記入ください。) ※他の割引は併用できません。受講者1名の場合：テレワーク応援キャンペーン【オンライン配信セミナー受講限定】 1名申込み：受講料 39,600円(E-Mail案内登録価格 37,840円 ) 定価：本体36,000円＋税3,600円 E-Mail案内登録価格：本体34,400円＋税3,440円 ※他の割引は併用できません。
主催	サイエンス＆テクノロジー
備考	■配布資料 PDFデータ(印刷可・編集不可) ※開催2日前を目安に、主催会社様HPのS&T会員マイページよりダウンロード可となります。 ※アーカイブ配信受講の場合は、配信開始日からダウンロード可となります。

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半導体プロセスにおける検査・解析技術の基礎と最新技術動向〜光と電子で「見る」技術の最先端〜

■ 光学・電子・プローブ顕微鏡による半導体検査と欠陥解析 ■
■ ウェハ・マスク欠陥検査、GAAトランジスタ解析 ■

　本セミナーでは、光学検査・電子顕微鏡・走査プローブ顕微鏡の基本原理から、ウェハ欠陥検査、マスク検査、GAAトランジスタ向けリセスプロセス解析など、最新の検査・解析技術までを解説します。基礎から最新動向までを幅広く学べる内容です。是非この機会にお役立てください。

講師

東京大学　大学院新領域創成科学研究科・特任助教　博士（理学）　藤原弘和　氏
[ご専門]物性物理学、半導体デバイス
[ご経歴]
1991年、岡山県生まれ。2019年に岡山大学にて博士号（理学）を取得。
同年、東芝メモリ株式会社（現キオクシア株式会社）入社。
同社メモリ技術研究所デバイス技術研究開発センター配属。
2021年より東京大学物性研究所附属極限コヒーレント光科学研究センター特任研究員
を経て、2024年より同大学大学院新領域創成科学研究科特任助教に着任。
光電子分光・顕微鏡を活用した半導体デバイスおよび材料開発を専門とし、
産学連携による先端分析技術の社会実装にも取り組む。
[HP] https://researchmap.jp/fujiwara_h

セミナー趣旨、ポイント

　検査・解析により半導体デバイスの「出来栄え」を評価することは、デバイス開発、プロセス開発、製造コスト、品質保証等のあらゆる観点で不可欠なプロセスです。現代の先端ロジック・メモリ半導体集積回路を構成するデバイスは、サイズが小さくなっているのに加えて三次元化が進んでいます。半導体デバイスの世代が進むにつれて、微細かつ複雑な構造を持つデバイスをいかに検査するかという問題も大きく膨らんできています。
　本講座では、半導体プロセスにおける検査・解析技術の全体像と基礎原理を理解し、半導体集積回路のトレンドを踏まえどのような技術が開発されているかを理解することを目標とします。特に、光と電子を組み合わせた新しい解析技術について詳しく解説を行います。半導体デバイス・プロセス開発や製造で検査・解析に関わる方の一助となるよう配慮した講義を行います。

こんな方におすすめ

半導体プロセスにおける検査・解析について、基礎から最新動向までを幅広く知りたい方に適します。
予備知識は特に必要ありませんが、半導体の簡単なエネルギーバンド図に馴染みがあると理解しやすくなります

得られる知識

・光学検査装置や電子顕微鏡、プローブ顕微鏡等の基本的な原理や特徴
・半導体プロセスで必要とされる検査技術の種類・特徴
・半導体デバイス・プロセスのトレンドと最新の検査・解析技術の動向、将来展望

プログラム

１．半導体プロセスと検査
　1-1. 半導体集積回路のロードマップ
　1-2. 半導体プロセスの基礎
　1-3. 半導体プロセス中の検査の種類と用途

２．光学検査の基礎
　2-1. 光学顕微鏡
　2-2. レーザー顕微鏡
　2-3. 白色干渉計
　2-4. ウェハ欠陥検査装置
　2-5. マスク検査装置

３．電子線検査の基礎
　3-1. 走査型電子顕微鏡（SEM）
　3-2. 透過型電子顕微鏡（TEM）
　3-3. 走査透過型電子顕微鏡（STEM）
　3-4. 電子エネルギー損失分光（EELS）

４．走査プローブ検査の基礎
　4-1. 原子間力顕微鏡（AFM）
　4-2. 走査型静電容量顕微鏡（SCM）
　4-3. 走査型広がり抵抗顕微鏡（SSRM）
　4-4. ケルビンプローブフォース顕微鏡（KPFM）

５．最近の検査・解析技術の動向
　5-1. 半導体製造現場から高まる要求と技術課題
　5-2. リソグラフィ検査―レジストの形状/化学解析
　5-3. ウェハ欠陥検査―SiCウェハの非破壊検査
　5-4. マスク欠陥検査―EUVマスクブランクスの位相欠陥検出
　5-5. 先端プロセス・デバイス検査―GAAトランジスタ向けリセスプロセス解析

６．将来展望とまとめ、Q&A

　□質疑応答□

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