次世代パワーデバイス開発の最前線～Si・SiC・GaN・Ga₂O₃の技術進化と実装課題～

セミナー概要

セミナーのテーマ

Si, SiC, GaN, Ga₂O₃の技術進化と実装課題
パワーデバイスの材料別技術優位性と課題
パワーデバイス産業の将来展望と日本復活への道

こんな方におすすめです

パワーエレクトロニクス製品/パワーデバイスの開発者
パワーエレクトロニクス製品/パワーデバイスの管理者
パワーエレクトロニクス製品/パワーデバイスの営業担当者

セミナータイトル	次世代パワーデバイス開発の最前線～Si・SiC・GaN・Ga₂O₃の技術進化と実装課題～
開催日時	【ライブ配信】 2025年9月29日（月）13:00～16:30 お申し込み期限：2025年9月29日（月）12:30まで【アーカイブ配信】視聴期間：2025年10月14日（火）～2025年10月27日（月）お申し込み期限：2025年10月14日（火）まで
開催場所/配信の補足・注意事項	【ライブ配信】・本セミナーは、主催会社様HPのS&T会員マイページより視聴いただけます。・本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。【アーカイブ配信】・本セミナーは、主催会社様HPのS&T会員マイページより視聴いただけます。
受講料	49,500円定価：本体45,000円＋税4,500円 E-Mail案内登録価格：本体42,700円＋税4,270円主催会社の会員ページ上に視聴や資料の案内がございますので、S&T会員登録が必須となります。未登録の場合、主催会社より新規登録手続きをさせていただきます。 S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について受講者2名以上の場合：【2名同時申込で1名無料】対象セミナー 2名で49,500円 (2名ともE-Mail案内登録必須／１名あたり定価半額の24,750円) ▼1名分無料適用条件 ※2名様ともE-Mail案内登録が必須です。 ※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。 ※3名様以上のお申込みの場合、１名あたり定価半額で追加受講できます。 ※請求書（クレジットカード決済の場合は領収書）は代表者にS&T会員マイページにて発行します（PDF） ※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。　(申込みフォームの通信欄に「請求書１名ごと発行」と記入ください。) ※他の割引は併用できません。受講者1名の場合：テレワーク応援キャンペーン【オンライン配信セミナー受講限定】 1名申込み：受講料 39,600円(E-Mail案内登録価格 37,840円) 定価：本体36,000円＋税3,600円 E-Mail案内登録価格：本体34,400円＋税3,440円 ※他の割引は併用できません。
主催	サイエンス＆テクノロジー
備考	■配布資料 PDFデータ(印刷可・編集不可) ※開催2日前を目安に、主催会社様HPのS&T会員マイページよりダウンロード可となります。 ※アーカイブ配信受講の場合は、配信開始日(8/8)からダウンロード可となります。

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次世代パワーデバイス開発の最前線～Si・SiC・GaN・Ga₂O₃の技術進化と実装課題～

量産課題と将来性から考えるパワーデバイス材料別の技術優位性と産業構造の変化

次世代パワーデバイス開発の全体像を、材料別に整理・比較。
電動化社会を支える材料別戦略を一挙解説！

パワーエレクトロニクス産業を支えるパワーデバイスの最新動向を、SiからSiC、GaN、Ga₂O₃まで広く取り上げ、各材料の特性・課題・量産性を詳細に解説します。また、今後日本が取るべき技術戦略と復活の鍵についても提言します。初学者にもわかりやすい構成で、研究・開発・事業企画に役立つ内容です。

講師

グリーンパワー山本研究所　所長　山本秀和　氏　

【専門】
半導体デバイス、半導体結晶

【兼任および経歴】
・FTB研究所　特別顧問　
・パワーデバイスイネーブリング協会　理事
・千葉工業大学付属研究所　共同研究員
・元千葉工業大学教授
・元三菱電機パワーデバイス開発部長

【執筆書籍】
「パワーデバイス」（コロナ社）
「ワイドギャップ半導体パワーデバイス」（コロナ社）、
「現代電気電子材料」（共著、コロナ社）
「半導体ＬＳＩ技術」（共著、共立出版）
「次世代パワー半導体の高性能化と産業展開」（共著、シーエムシー出版）
「はかる×わかる半導体　パワーエレクトロニクス編」（共著、日経BPｺﾝｻﾙﾃｨﾝｸﾞ）
「半導体デバイスの不良・故障解析技術」（共著、日科技連出版社）
「先端パワーデバイス実装技術」（共著、シーエムシー出版）

セミナー趣旨、ポイント

パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、Siデバイスの性能向上に限界が見えてきており、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。SiC、GaNおよびGa2O3は、物性値自身がパワーデバイスに適しており、試作されたデバイスの特性は、Siデバイスを凌駕します。しかしながら、結晶品質が劣る、信頼性に不安がある、歩留まりが低い、コストが高い等々、量産化には多くの課題があります。これまで、日本はパワーデバイス産業を牽引してきましたが、その地位は徐々に落ちてきています。Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイス進化の歴史、課題および将来展望、さらに、日本のパワーデバイス復活への有り方について、分かりやすく、かつ詳細に解説します。

こんな方におすすめ

パワーエレクトロニクス製品/パワーデバイスの開発者、管理者、営業担当者
※初心者の受講でも問題ない

得られる知識

・パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイスの産業構造
・パワーデバイスによる電力変換と用途
・Siパワーデバイスの高性能化の歴史
・ワイドギャップ半導体の高いポテンシャルと開発ターゲット
・パワーデバイス用結晶の特異性
・SiCパワーデバイスの優位性と課題
・GaNパワーデバイスの優位性と課題
・Ga2O3パワーデバイスの優位性と課題
・パワーデバイス産業の将来展望と日本の復活

プログラム

１．パワーエレクトロニクス／パワーデバイス産業
　1.1　パワーエレクトロニクスの重要性
　1.2　パワーデバイスの用途と産業構造

２．パワーデバイスの構造と高性能化の歴史
　2.1　パワーデバイスの構造と要求性能
　2.2　Siパワーデバイスの高性能化

３．SiCパワーデバイスの優位性と課題
　3.1　SiCパワーデバイスの優位性
　3.2　SiCパワーデバイスの課題

４．GaNパワーデバイスの優位性と課題
　4.1　GaNパワーデバイスの優位性
　4.2　GaNパワーデバイスの課題

５．Ga2O3パワーデバイスの優位性と課題
　5.1　Ga2O3パワーデバイスの優位性
　5.2　Ga2O3パワーデバイスの課題

６．パワーデバイスの将来展望
　6.1　パワーデバイス業界の動向
　6.2　日本のパワーデバイスの地位低下と復活

□質疑応答□

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