クライオエッチングの基礎・現状・課題と低温下における表面反応

セミナー概要

セミナーのテーマ

  • クライオエッチングの基礎と開発経緯
  • 低温下における表面反応の解析
  • クライオエッチングの現状と今後の課題

こんな方におすすめです

  • 半導体デバイス製造技術に関心のある方
  • プラズマエッチング技術について学びたい方
  • クライオエッチング技術の基礎知識を習得したい方
セミナータイトルクライオエッチングの基礎・現状・課題と低温下における表面反応
開催日時 【ライブ配信】

2025年10月28日(火)13:00~16:30
お申し込み期限:2025年10月28日(火)12:30まで

【アーカイブ配信】
視聴期間:2025年10月29日(水)~2025年11月5日(水)

・このセミナーはアーカイブ付きです
 視聴期間:2025/10/29(水)~2025/11/5(水)
・セミナー終了後も繰り返しの視聴学習が可能です。
・オンライン講習特有の回線トラブルや聞き逃し、振り返り学習にぜひ活用ください。

開催場所/配信の補足・注意事項

【ライブ配信】
・本セミナーは、主催会社様HPのS&T会員マイページより視聴いただけます。
・本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。

【アーカイブ配信】
・本セミナーは、主催会社様HPのS&T会員マイページより視聴いただけます。
・視聴期間は終了翌営業日から7日間を予定しています。またアーカイブは原則として編集は行いません。

受講料49,500円

定価:本体45,000円+税4,500円
E-Mail案内登録価格:本体42,700円+税4,270円

受講者2名以上の場合:【2名同時申込で1名無料】対象セミナー
2名で49,500円 (2名ともE-mail案内登録必須​/1名あたり定価半額の24,750円)
▼1名分無料適用条件
※2名様ともE-Mail案内登録が必須です。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※請求書(クレジットカード決済の場合は領収書)は、代表者にS&T会員マイページにて発行いたします(PDF)。
※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
 (申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)
※他の割引は併用できません。
受講者1名の場合:テレワーク応援キャンペーン【オンライン配信セミナー受講限定】
1名申込み: 受講料 39,600円(E-Mail案内登録価格 37,840円)
定価:本体36,000円+税3,600円
E-Mail案内登録価格:本体34,400円+税3,440円
※他の割引は併用できません。
主催サイエンス&テクノロジー
備考■配布資料
PDFデータ(印刷可・編集不可)
※開催2日前を目安に、主催会社様HPのS&T会員マイページよりダウンロード可となります。

クライオエッチングの基礎・現状・課題と低温下における表面反応

デバイス微細化と三次元化に向けて注目の「クライオエッチング」基礎・現状・課題とその全貌を半日速習!
プロセス制御、材料選定などに広く基礎知識として押さえておきたい
低温下における表面反応について、解析結果とともに解説します。

講師

名古屋大学 低温プラズマ科学研究センター 特任教授 関根 誠 氏

セミナー趣旨、ポイント

 先端半導体デバイス製造において、プラズマエッチングはデバイスの高性能化を牽引してきた不可欠なプロセス技術である。近年 デバイスの微細化に加え、三次元構造化が進められ、プラズマエッチングに対する要求は益々高まっている。ここで、エッチング速度の向上や形状制御の観点から、基板温度を氷点下から極低温領域まで冷却するクライオエッチングが注目されている。本講座では、クライオエッチングの開発経緯から、その基礎として低温下における表面反応の解析結果を示す。また、技術の現状と今後の課題を俯瞰し、当技術の全貌を解説する。

プログラム

1.背景

2.エッチングプロセスの基礎
 2.1 プラズマ生成と表面反応
 2.2 高アスペクト比(HAR)エッチング
 2.3 チャージング現象

3.クライオエッチングの開発経緯
 3.1 Si
 3.2 SiO2
 3.3 その他の材料

4.クライオエッチング技術の現状
 4.1 超高アスペクト比加工
 4.2 形状制御

5.クライオエッチングのハードウェア

6.低温における表面反応
 6.1 表面分析 FT-IR XPS 水添加の効果 水の役割
 6.2 表面抵抗評価
 6.3 表面層のイメージ‐疑ウェットプラズマエッチングの提案

7.クライオALE
 7.1 SiO2
 7.2 SiN
 7.3 金属材料

8. 課題と展望

9.まとめ

  □質疑応答□