セミナー概要
セミナーのテーマ
- 半導体リソグラフィ技術の進化と原理
- EUV(極端紫外線)露光装置の最新技術と将来展望
- 半導体露光における解像度向上と要素技術
セミナータイトル | 半導体露光技術の発展、およびEUV露光装置の現状と将来展望 |
開催日時 | 【オンライン配信】 【アーカイブ配信】 |
開催場所 | オンライン※アーカイブ配信あり 【オンライン配信】 |
受講料 | 49,500円 各種割引特典あり。詳しくは主催会社のサイトをご参照ください。 |
主催 | サイエンス&テクノロジー |
備考 | 配布資料 オンライン配信受講:製本テキスト(開催日の4、5日前に発送予定) ※開催まで4営業日~前日にお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。 ※Zoom上ではスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。 アーカイブ配信受講:製本テキスト(開催日を目安に発送) |
半導体露光技術の発展、およびEUV露光装置の現状と将来展望
リソグラフィ技術の原理全般を把握し、
装置の構成要素からEUV露光装置の最新技術までを詳しく解説
本セミナーでは、半導体露光技術の進化の過程をリソグラフィ関連全般を原理的視点から解説し、EUV露光装置の特徴から技術的進展、最新技術、そして今後の展望について深掘りしていきます。さらに、解像度の決定要因やEUV技術がもたらす革新と将来展望について、基礎から詳しく説明します。
※予備知識は不要ですが、四則演算、三角関数、微積分、平均値と標準偏差、等の基礎知識は必要です。
■セミナーのポイント
・半導体リソグラフィ技術の進化
露光技術の歴史と進化の流れ、半導体製造プロセス全体におけるリソグラフィの役割
・半導体露光装置の構成や特徴
投影露光装置の構成や性能、解像度パラメータや露光波長の概要と数式による理解
・EUV露光装置の最新技術と展望
EUV露光技術(光源や多層膜反射光学系、EUVマスクなど)やレジスト材料、EUV露光装置の高NA化
講師
国立大学法人東京科学大学 総合研究院 ゼロカーボンエネルギー研究所 研究員 博士(工学) 鈴木 一明 氏
[ご専門] 精密工学、半導体微細加工技術、X線非破壊検査技術
セミナー趣旨、ポイント
半導体製造プロセス全体におけるリソグラフィの位置づけ、パターン微細化に伴う半導体露光方式の進化の流れを、専門外の方々にもわかりやすく説明する。 次に、投影露光装置の構成、主要性能と要素性能の関係について述べ、露光装置についての定性的理解を深めてもらう。更に、解像度に対する投影光学系、照明光学系のパラメータと露光波長の寄与について数式を用いて詳しく説明し、専門の方には計算の仕方を、専門外の方には計算結果の意味するところを理解してもらう。そして、多層膜反射光学系を含むEUV露光装置とその関連技術の特徴、最新状況、今後の展望について説明する。最後に、露光装置によって形成される光学像強度分布からレジスト像への転写原理、レジスト材料の原理について述べる。
こんな方におすすめ
・半導体業界でのリソグラフィ技術の最新動向を知りたい方
・半導体製造プロセスに携わる技術者、若手技術者、新人エンジニア
・EUV露光技術の詳細を理解したい技術者や研究者
・半導体産業の未来と技術的課題に関心がある方
半導体製造プロセスのうち、リソグラフィ関連全般を原理的な視点から理解したい方(新人、若手技術者、マネジメント)
得られる知識
・半導体製造プロセスにおけるリソグラフィの位置づけ、半導体露光装置の歴史を理解できる。
・半導体露光装置の構成と性能 特に解像度の決定要因と部分的コヒーレンス理論を理解することができる。
・EUV露光装置の特徴を理解することができる。
・レジスト材料の原理を理解することができる
プログラム
1.半導体高集積化のトレンドと露光装置の位置づけ
2.露光装置概観
2.1 半導体露光装置の露光方式の進化
2.2 露光装置の性能と要素機能、露光技術の発展
(部分的コヒーレンス理論、 解像度、解像度向上策、重ね合わせ精度、スループット etc.)
3.EUV露光装置
3.1 EUV露光装置の特徴
(光源、多層膜反射光学系、真空ステージ、EUVマスク etc.)
3.2 EUV露光装置の高NA化と将来展望
3.3 レジスト材料の原理
3.4 Cost of Ownership
□質疑応答□