4/17 メタルレジストの特徴とEUV露光による反応メカニズム【ライブ配信】or【アーカイブ配信】のみ

このセミナーは終了しました

  • 開催日2025年3月26日（水）
  • 形態オンライン【アーカイブ配信あり】
エレクトロニクス

セミナー概要

セミナーのテーマ

  • メタルレジストの特徴とEUV露光による反応メカニズム
  • メタルレジストの構造と特性
  • 半導体微細化におけるメタルレジストの重要性

こんな方におすすめです

  • 半導体微細化におけるレジスト技術に興味のある方
  • 半導体微細化の最先端動向に興味のある方
  • 半導体微細化におけるレジストの最新動向を学習したい方
セミナータイトルメタルレジストの特徴とEUV露光による反応メカニズム
開催日時

2025年3月26日（水）13:00～15:30

【アーカイブ配信】
視聴期間：2025年4月16日（水）～2025年4月19日（土）
お申し込み期限：2025年4月16日（水）まで

開催場所

オンライン※アーカイブ配信あり

Live配信(Zoom)

受講料41,800円

・【2名同時申込で1名無料】対象セミナー
・テレワーク応援キャンペーン【オンライン配信セミナー1名受講限定】
キャンペーンや割引制度があります。詳しくはお問い合わせください。

主催サイエンス＆テクノロジー
備考製本テキスト(開催日の4、5日前に発送予定)
※開催まで4営業日～前日にお申込みの場合、セミナー資料の到着が開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
　Zoom上ではスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。

※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

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メタルレジストの特徴とEUV露光による反応メカニズム

～メタルレジストの構造、EUV露光における反応、半導体微細化の最新動向～

講師

（国研）物質・材料研究機構　電子・光機能材料研究センター　主幹研究員　博士（理学） 山下 良之　氏

セミナー趣旨、ポイント

近年2nmスケールの半導体が非常に注目を集めているなかでレジスト、とりわけメタルレジストがなぜ重要なのか
各社のメタルレジスト、EUV光利用におけるメタルレジストの必要性、メタルレジストのEUV露光による反応機構、、、
2nmスケール半導体作製における核技術、世界動向についても可能な限り解説

受講対象者、必要な予備知識

  • 半導体微細化におけるレジスト技術に興味のある方
  • 半導体微細化の最先端動向に興味のある方
  • 半導体微細化におけるレジストの最新動向を学習したい方

得られる知識

  • メタルレジストの構造、EUV露光における反応、半導体微細化の最新動向

プログラム

  1. 1．レジスト
    1. 1）半導体構造
      1. (a) ムアーの法則
      2. (b) スケーリング則
      3. (c) 平面構造FET構造の限界
      4. (d) 平面構造FET構造以降のデバイス構造
      5. (e) RapidusのGAA構造
      6. (f) GAAフォークシート構造
      7. (g) CFET構造
      8. (h) ムアーの法則と半導体構造
      9. (i) デバイス構造の推移予想
      10. (j) 半導体の製造を行う会社数推移
    2. 2）レジストとリソグラフィ
      1. (a) レジスト露光光源の推移
      2. (b) レジスト露光とcritical dimension
      3. (c) リソグラフィのスケーリング則
      4. (d) 現在のリソグラフィ
      5. (e) LELE（Litho-etch Litho-etch）
      6. (f) SADP（Self Aligned Double Patterning）
      7. (g) 次世代リソグラフィ技術
      8. (h) デバイスの微少化に必要なこと
    3. 3）EUVとメタルレジスト
      1. (a) 回路パターンに必要なこと
      2. (b) レイリーの式
      3. (c) EUV光源の周辺技術
      4. (d) EUV露光のミラー
      5. (e) 何故Mo/Si多層膜がEUV露光のミラーに適しているのか
      6. (f) ASML社製のEUV露光装置
      7. (g) Rapidusが納品したASML社製のNA0.33EUV露光装置
      8. (h) ASML社製のNA0.55EUV露光装置
      9. (i) high NA EUVで生じる偏光問題をどのように解決するか
      10. (j) high NA EUVで用いられているミラー
      11. (k) high NA EUV露光過程の動画（ASML社 TWINACAN EXE:5000）
      12. (l) high NA EUVロードマップ
      13. (m) EUVレジスト側で必要なこと
      14. (n) EUV光吸収率の元素依存性
      15. (o) EUV露光用新規レジストの必要性
      16. (p) 高感度EUVレジスト材料に求められるもの
      17. (q) メタルレジスト
      18. (r) 化学増幅型有機レジストとメタルレジスト
      19. (s) メタルレジストのEUV露光に対する優位性
      20. (t) メタルレジストの開発の歴史
    4. 4）余談
      1. (a) チップレットとは
      2. (b) ファンダリーとは
      3. (c) NAとは
      4. (d) レジストにおけるトレードオフ
  2. 2．メタルレジスト
    1. 1）メタルレジストの基礎物性
      1. (a) 無機レジスト材料
      2. (b) 元素の光学濃度値
      3. (c) 材料設計を考慮する際に重要なEUV光による吸収率の元素依存性
      4. (d) EUV光によって吸収される元素の軌道
    2. 2）各社が開発したメタルレジスト
      1. (a) Inpriaのメタルレジスト作製の歴史
      2. (b) Inpriaのメタルレジストの種類
      3. (c) コーネル大学のメタルレジスト作製の歴史
      4. (d) コーネル大学のメタルレジストの種類
      5. (e) EIDECのメタルレジスト作製の歴史
      6. (f) EIDECのメタルレジストの種類
      7. (g) SUNY Polytechnic Instituteの歴史及び種類
      8. (h) ドライメタルレジスト（Lam research）
      9. (i) ドライメタルレジストの利点
  3. 3．メタルレジストのEUV露光による反応機構の解析、および大気安定性
    1. 1）メタルレジストのEUV露光による反応機構
      1. (a) XRDによるEUV露光による構造変化解明
      2. (b) 光電子分光によるEUV露光による反応元素解明
      3. (c) X線吸収分光法によるEUV露光による反応化学結合解明
    2. 2）メタルレジストの大気安定性
      1. (a) 光電子分光によるメタルレジストの大気暴露下での化学状態
      2. (b) X線吸収分光法によるメタルレジストの大気暴露下での反応結合種解明
      3. (c) 光電子分光によるEUV露光したメタルレジストの大気暴露下での化学状態
      4. (d) X線吸収分光法によるメタルレジストの大気暴露下での反応結合種解明

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