各種パワーデバイスの特徴・技術動向と今後の課題

セミナー概要

セミナーのテーマ

  • パワーデバイス業界の動向と将来展望
  • Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイスの技術開発
  • 日本のパワーデバイス再建に向けた課題と対策

こんな方におすすめです

  • パワーデバイス開発技術者
  • パワーデバイス関連の管理者
  • パワーデバイス関連の営業担当者
セミナータイトル各種パワーデバイスの特徴・技術動向と今後の課題
開催日時 【ライブ配信】

2025年8月20日(水)12:30~16:30
お申し込み期限:2025年8月20日(水)12:00まで

【アーカイブ配信】
視聴期間:2025年8月22日(金)~2025年8月29日(金)

開催場所/配信の補足・注意事項

【Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順】
1.Zoomを使用されたことがない方は、下記よりミーティング用Zoomクライアントをダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。
https://zoom.us/download#client_4meeting
2.セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。
3.開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加ください。

・セミナー資料は開催前日までにPDFにてお送りいたします。※紙媒体での配布はございません。

・無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。

受講料49,500円(税込、資料付)

■会員(案内)登録していただいた場合、通常1名様申込で49,500円(税込)から
 ・1名で申込の場合、44,000円(税込)へ割引になります。
 ・2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、
  49,500円(1名当たり 24,750円)(税込)です。

※ 会員登録とは
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主催R&D支援センター

各種パワーデバイスの特徴・技術動向と今後の課題

★日本のパワーデバイス再建のカギとなるものは?Siパワーデバイスの現状からワイドギャップ半導体パワーデバイスの開発動向や課題まで解説します!

講師

グリーンパワー山本研究所 所長 山本 秀和 氏
 兼 千葉工業大学 非常勤講師、共同研究員
 兼 パワーデバイスイネーブリング協会 理事
 兼 FTB研究所 特別顧問

<ご専門>
 半導体結晶、半導体デバイス、パワーデバイス

<学協会>
 パワーデバイスイネーブリング協会

<ご略歴>
 1984年3月 北海道大学大学院博士後期課程修了(工学博士)
 1984年4月 三菱電機(株)入社(2010年3月退社)
 2010年4月 千葉工業大学 教授(2022年3月退職)
 2015年6月 パワーデバイスイネーブリング協会 理事
 2022年4月 FTB研究所 特別顧問
 2022年4月 千葉工業大学 非常勤講師
 2022年8月 グリーンパワー山本研究所 所長
 2022年8月 千葉工業大学 付属研究所 共同研究員

セミナー趣旨、ポイント

 パワーデバイスは、地球温暖化防止の決め手となるパワーエレクトロニクスを根底から支えています。これまで日本は、パワーデバイス業界を主導的に牽引してきました。しかしながら最近、日本のパワーデバイスの世界シェアは徐々に落ちてきており、何らかの手を打たない限り、この動きは止められません。
 Siパワーデバイスは製造ラインの300mm化が必須ですが、日本はすでに大きく出遅れています。近年、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。量産化には多くの課題があるものの、海外メーカは積極的に市場投入を進めています。日本はここでも、海外メーカに後れを取っています。
 本セミナーでは、Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイスの技術開発動向と今後の課題について詳細に解説します。さらに、日本のパワーデバイス再建についても議論します。

こんな方におすすめ

パワーデバイス開発技術者、管理者、営業担当者

得られる知識

・パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイス業界動向
・パワーデバイスによる電力変換と高性能化
・パワーチップおよびパワーモジュールの構造
・ワイドギャップ半導体パワーデバイスの開発ターゲット
・Siパワーデバイスの優位性と課題
・ワイドギャップ半導体パワーデバイスの優位性と課題
・日本の電子デバイス産業における失敗事例
・パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位

プログラム

1.パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイス業界動向
 1-1.パワーエレクトロニクスへの期待とパワーデバイスの適用分野
 1-2.パワーデバイスによる電力変換とパワーデバイスの高性能化

2.パワーチップおよびパワーモジュールの構造
 2-1.パワーチップおよびパワーモジュールの構造
 2-2.パワーチップおよびパワーモジュールの製造プロセス

3.Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイスの技術開発
 3-1.Siパワーデバイスの技術開発
 3-2.SiCパワーデバイスの技術開発
 3-3.GaNパワーデバイスの技術開発
 3-4.酸化ガリウムパワーデバイスの技術開発

4.日本の電子デバイス盛衰の歴史とパワーデバイスの将来展望
 4-1.日本の電子デバイス盛衰の歴史
 4-2.世界のパワーデバイスの状況
 4-3.日本のパワーデバイスの将来展望

5.まとめ