<半導体製造において必須:プラズマプロセッシング>プラズマプロセスにおける基礎と半導体微細加工へのプラズマによるエッチングプロセス

セミナー概要

セミナーのテーマ

  • プラズマの基礎
  • 半導体微細加工におけるプラズマプロセス
  • 反応性イオンエッチングと二周波重畳プラズマ

こんな方におすすめです

  • 半導体製造技術者
  • プラズマプロセス技術者
  • 研究開発者
セミナータイトル<半導体製造において必須:プラズマプロセッシング>プラズマプロセスにおける基礎と半導体微細加工へのプラズマによるエッチングプロセス
開催日時 【ライブ配信】

2025年8月7日(木)10:30~16:30
お申し込み期限:2025年8月7日(木)10:00まで

開催場所/配信の補足・注意事項

・本セミナーは、主催会社様HPのS&T会員マイページより視聴いただけます。
・本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。

受講料55,000円

定価:本体50,000円+税5,000円
E-Mail案内登録価格:本体47,500円+税4,750円

受講者2名以上の場合:【2名同時申込で1名無料】対象セミナー
2名で55,000円(2名ともE-Mail案内登録必須​/1名あたり定価半額の27,500円)
▼1名分無料適用条件
※2名様ともE-mail案内登録が必須です。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※請求書(PDFデータ)は、代表者にE-mailで送信いたします。
※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
 (申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)
※他の割引は併用できません。
受講者1名の場合:テレワーク応援キャンペーン【オンライン配信セミナー受講限定】
1名申込み: 受講料 44,000円(E-Mail案内登録価格 42,020円 )
定価:本体40,000円+税4,000円
E-Mail案内登録価格:本体38,200円+税3,820円
※他の割引は併用できません。
主催サイエンス&テクノロジー
備考■配布資料
製本テキスト(開催日の4、5日前に発送予定)
※開催まで4営業日~前日にお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
※Zoom上ではスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。

<半導体製造において必須:プラズマプロセッシング>プラズマプロセスにおける基礎と半導体微細加工へのプラズマによるエッチングプロセス

■半導体微細加工において重要なパラメータ:壁へのイオンや化学活性種のフラックス量とは?■
■半導体プロセスに用いられるプラズマ源、反応性イオンエッチングの表面現象を理解する!■

★ さまざまな表面化学反応を低温で実現できるプラズマプロセス!
★ プラズマの性質やプラズマ中で起こっている基本的な現象とは?二周波重畳プラズマの必要性と課題についても解説!

講師

名古屋大学工学研究科 電子工学専攻 教授 豊田 浩孝 氏
名古屋大学低温プラズマ科学研究センター 教授(兼務)
自然科学研究機構 核融合科学研究所 特任教授
【経歴】
1988年 名古屋大学工学研究科 博士課程後期課程修了 博士(工学)
1988年 名古屋大学工学部 助手
1992年 名古屋大学工学部 講師
2000年 名古屋大学工学研究科 助教授
2006年 名古屋大学プラズマナノ工学研究センター 助教授
2007年 名古屋大学工学研究科 教授
【研究内容】 
減圧プラズマから大気圧プラズマにわたり、さまざまなプロセスに最適化したプラズマ装置の設計・製作をおこない、プロセスプラズマ装置内の気相および表面における物理化学過程の解析を進める。また、核融合装置壁の制御に関する研究も行っている。
第5回プラズマエレクトロニクス賞
プラズマ核融合学会貢献賞
【専門】
プラズマエレクトロニクス プラズマ理工学

セミナー趣旨、ポイント

 さまざまな表面化学反応を低温で実現できるプラズマプロセスは半導体製造において必須のプロセスです。
 本講座はプラズマの性質やプラズマ中で起こっている基本的な現象(電離、解離、拡散、消滅)を解説するとともに、半導体微細加工において重要なパラメータとなる壁へのイオンや化学活性種のフラックス量がどのような過程で決定づけられているかを説明します。
 また、半導体プロセスで用いられるさまざまなプラズマ源の特徴、反応性イオンエッチングにおいて表面で起こっている現象を説明するとともに、近年の動向である二周波重畳プラズマの必要性と課題についても触れていきます。

得られる知識

プラズマの基礎、エッチングプロセス実現のためのプラズマ制御の基本指針

プログラム

1.プラズマとは
 1.1 半導体プロセスにおけるプラズマの必要性
 1.2 化学活性種の低温生成
 1.3 イオンの活用

2.プラズマ中での荷電粒子のふるまい
 2.1 電子のエネルギー分布
 2.2 電界の遮蔽
 2.3 プラズマの振動とプラズマ周波数

3.プラズマ中における粒子間衝突(荷電粒子や化学活性種の生成)
 3.1 衝突の種類
 3.2 衝突断面積 
 3.3 平均値としての衝突頻度
 3.4 原子・分子のもつ内部エネルギー

4.プラズマと壁(荷電粒子や化学活性種の消失)
 4.1 荷電粒子の損失
   ・シースの形成とボーム速度
   ・壁への損失フラックス
 4.2 化学活性種の損失
   ・壁へのランダムフラックス
   ・表面損失の確率

5.プラズマの生成と損失のバランス
 5.1 荷電粒子の生成と消滅のバランス
 5.2 化学活性種の生成と消滅のバランス
 5.3 エネルギーのバランス

6.プラズマの作り方
 6.1 容量結合型プラズマ
 6.2 誘導結合型プラズマ
 6.3 マイクロ波プラズマ

7.反応性イオンエッチング
 7.1 反応性イオンエッチング(RIE)とは
 7.2 RIE表面において起こっている現象
 7.3 選択性の発現
 7.4 イオンの入射角度分布と高エネルギーイオン入射の必要性

8.容量結合型プラズマによるエッチングプロセス
 8.1 容量結合型プラズマの長所と短所
 8.2 プロセススループット向上のためのプラズマの高密度化
 8.3 容量結合型プラズマにおける自己バイアス発生とイオンのエネルギー分布形成
 8.4 なぜ二周波重畳プラズマなのか
 8.5 粒子の滞在時間と真空装置の高排気速度化の重要性
 8.6 電源高周波化にともなう課題

  □質疑応答□