セミナー概要
セミナーのテーマ
- CMP技術の基本原理、装置構成、プロセス技術
- CMP後の洗浄プロセス、課題、解決策
- 今後の配線工程の課題と展望
こんな方におすすめです
- 半導体関連企業に入社2～3年の若手技術者
- 半導体専攻の学生
- CMP技術に関心のある方
| セミナータイトル | 半導体製造のCMP技術・CMP後洗浄の基礎と最新技術および今後の課題・展望 |
| 開催日時 | 【ライブ配信】 2025年10月27日（月）13:00～16:30 |
| 開催場所/配信の補足・注意事項 | ・本セミナーは、主催会社様HPのS&T会員マイページより視聴いただけます。 |
| 受講料 | 49,500円 定価：本体45,000円＋税4,500円 主催会社の会員ページ上に視聴や資料の案内がございますので、S&T会員登録が必須となります。未登録の場合、主催会社より新規登録手続きをさせていただきます。
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| 主催 | サイエンス＆テクノロジー |
| 備考 | ■配布資料 製本テキスト(開催日の4、5日前に発送予定) ※開催まで4営業日～前日にお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。 ※Zoom上ではスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。 |
半導体製造のCMP技術・CMP後洗浄の基礎と最新技術および今後の課題・展望
CMPの原理・装置構成・プロセス技術、CMP後の洗浄の特徴・特有の課題と解決策、
今後の配線工程の課題と展望など
2030年に向けたSEMI・CMP市場、CMP技術（工程、基本原理、装置の構成、パフォーマンスの要素、性能とパラメータ、研磨ヘッドのプロファイル制御やプロセスモニタ・コントロール技術等）、CMP後の洗浄（洗浄プロセス、薬液を使ったパーティクルの除去メカニズム、乾燥技術、各膜種によるCMPのメカニズムと手段・処理形態、CMP特有の洗浄課題等）、今後の配線工程の課題と展望などについて解説します。
講師
(株)荏原製作所 精密・電子カンパニー 装置事業部 ビジネス戦略推進部 技術マーケティング課 シニア・テクノロジー・エキスパート 今井 正芳 氏
専門：半導体製造における洗浄プロセス全般および基本CMPプロセス
略歴：
1985年：大日本スクリーン製造(株)（現(株)SCREENセミコンダクターソリューションズ）入社。
当初は半導体ウェーハ拡散炉の基礎開発に従事。
1989年～：半導体枚葉式洗浄装置・プロセス開発
1994年～1986年：米国出向、セールス・技術サポート
1999年～：半導体洗浄装置関連のマーケット部門
2006年～2008年：コンソーシアムSelete出向（バックエンド洗浄の開発）
2010年6月～：株式会社荏原製作所入社、主に、CMP後の洗浄プロセス・装置開発に従事。
2022年～現在：マーケティング部門
社外活動：
2002年～2006年：SEAJウェーハプロセスWG 委員（委員長含む）
2005年～2009年：STRJ WG4（配線） 委員
2017年～：ADMETA委員（チュートリアル委員長含む）
セミナー趣旨、ポイント
昨今の半導体業界の躍進は周知のとおりです。その半導体の電子媒体であるチップ構造も、微細化から三次元化も含めて形態が複雑化しています。その半導体を製造する工程の一つであるCMP技術は、上記要求に対し、更に工程数も増えており、今後も新たな工程でCMPプロセスに期待がかかっています。
今回のセミナーでは、CMPの基本的なプロセス技術と装置構成について今後CMPに関わる方にも分かりやすく解説します。また、特にCMP後の洗浄については、一般の半導体洗浄との違い、独特なウェーハ表面洗浄について解説し、最後に課題と解決策を提言します。
こんな方におすすめ
本公演は基本的なお話なので、半導体関連の会社に入社されてから2～3年の若手技術者や新人（デバイスメーカー、装置メーカー、材料メーカー、純水・薬液メーカー、分析機器メーカーなど）の方や、半導体専攻の学生の方、本内容にご興味のある方など、どなたでもご受講いただけます。
得られる知識
・半導体製造工程のCMP、洗浄の基礎知識と最新技術
・今後の配線工程の課題と展望
プログラム
０．はじめに…2030年に向けたSEMI・CMP市場
１．半導体製造におけるCMP工程の概要
1.1 CMPとは
1.1.1 CMPの主な適用工程
1.1.2 CMP工程数の増加
1.2 CMP研磨部の基本構成
1.2.1 基本原理
・基本構成
・均一に研磨できる理由
・CMPパフォーマンスの要素と変数「k」
・主なCMP性能とパラメータ
1.2.2 研磨ヘッドの歴史とプロファイル制御
1.2.3 エンドポイント、プロセスモニタ・コントロール技術
・TCM, RECM, SOPMの解説
・プロセスモニタとIn-situプロセスコントロール技術
1.2.4 装置構成（研磨部、洗浄部）
２．CMP後洗浄の概要
2.1 洗浄プロセスの基礎
2.1.1 半導体洗浄のはじまり
2.1.2 半導体洗浄技術の体系
2.1.3 薬液を使った半導体洗浄の代表的なウェーハ表面からのパーティクル除去メカニズム
2.1.4 DLVO理論
2.1.5 乾燥技術
2.2 半導体洗浄の中のCMP後洗浄
2.2.1 一般的な洗浄プロセスとCMP後の洗浄の違い
2.2.2 各膜種によるCMPのメカニズムと手段、処理形態
３．今後のCMP後洗浄の課題
3.1 ロードマップ解説
3.2 CMP特有の洗浄課題
・滞留領域
3.3 Cu腐食についての解説
・DIW溶存ガスによる腐食と抑制
・その他、電池効果、光、洗浄剤
４．まとめ
□質疑応答□