デバイス微細化

セミナー概要 セミナーのテーマ クライオエッチングの基礎と開発経緯 低温下における表面反応の解析 クライオエッチングの現状と今後の課題 こんな方におすすめです 半導体デバイス製造技術に関心のある方 プラズマエッチング技術について学びたい方 クライオエッチング技術の基礎知識を習得したい方 クライオエッチングの基礎・現状・課題と低温下における表面反応 デバイス微細化と三次元化に向けて注目の「クライオエッチング」基礎・現状・課題とその全貌を半日速習！プロセス制御、材料選定などに広く基礎知識として押さえておきたい低温下における表面反応について、解析結果とともに解説します。 講師 名古屋大学 低温プラズマ科学研究センター 特任教授 関根 誠 氏 セミナー趣旨、ポイント 先端半導体デバイス製造において、プラズマエッチングはデバイスの高性能化を牽引してきた不可欠なプロセス技術である。近年 デバイスの微細化に加え、三次元構造化が進められ、プラズマエッチングに対する要求は益々高まっている。ここで、エッチング速度の向上や形状制御の観点から、基板温度を氷点下から極低温領域まで冷却するクライオエッチングが注目されている。本講座では、クライオエッチングの開発経緯から、その基礎として低温下における表面反応の解析結果を示す。また、技術の現状と今後の課題を俯瞰し、当技術の全貌を解説する。 プログラム １．背景２．エッチングプロセスの基礎 2.1 プラズマ生成と表面反応 2.2 高アスペクト比（HAR)エッチング 2.3 チャージング現象３．クライオエッチングの開発経緯 3.1 Si 3.2 SiO2 3.3 その他の材料4．クライオエッチング技術の現状 4.1 超高アスペクト比加工 4.2 形状制御5．クライオエッチングのハードウェア6．低温における表面反応 6.1 表面分析 FT-IR XPS 水添加の効果 水の役割 6.2 表面抵抗評価 6.3 表面層のイメージ‐疑ウェットプラズマエッチングの提案7．クライオALE 7.1 SiO2 7.2 SiN 7.3 金属材料8． 課題と展望9．まとめ □質疑応答□