パワーエレクトロニクス

セミナー概要 セミナーのテーマ パワーデバイス業界の動向と将来展望 Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイスの技術開発 日本のパワーデバイス再建に向けた課題と対策 こんな方におすすめです パワーデバイス開発技術者 パワーデバイス関連の管理者 パワーデバイス関連の営業担当者 各種パワーデバイスの特徴・技術動向と今後の課題 ★日本のパワーデバイス再建のカギとなるものは？Siパワーデバイスの現状からワイドギャップ半導体パワーデバイスの開発動向や課題まで解説します！ 講師 グリーンパワー山本研究所 所長 山本 秀和 氏 兼 千葉工業大学 非常勤講師、共同研究員 兼 パワーデバイスイネーブリング協会 理事 兼 FTB研究所 特別顧問＜ご専門＞ 半導体結晶、半導体デバイス、パワーデバイス＜学協会＞ パワーデバイスイネーブリング協会＜ご略歴＞ 1984年3月 北海道大学大学院博士後期課程修了（工学博士） 1984年4月 三菱電機(株)入社（2010年3月退社） 2010年4月 千葉工業大学 教授（2022年3月退職） 2015年6月 パワーデバイスイネーブリング協会 理事 2022年4月 FTB研究所 特別顧問 2022年4月 千葉工業大学 非常勤講師 2022年8月 グリーンパワー山本研究所 所長 2022年8月 千葉工業大学 付属研究所 共同研究員 セミナー趣旨、ポイント パワーデバイスは、地球温暖化防止の決め手となるパワーエレクトロニクスを根底から支えています。これまで日本は、パワーデバイス業界を主導的に牽引してきました。しかしながら最近、日本のパワーデバイスの世界シェアは徐々に落ちてきており、何らかの手を打たない限り、この動きは止められません。 Siパワーデバイスは製造ラインの300mm化が必須ですが、日本はすでに大きく出遅れています。近年、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。量産化には多くの課題があるものの、海外メーカは積極的に市場投入を進めています。日本はここでも、海外メーカに後れを取っています。 本セミナーでは、Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイスの技術開発動向と今後の課題について詳細に解説します。さらに、日本のパワーデバイス再建についても議論します。 こんな方におすすめ パワーデバイス開発技術者、管理者、営業担当者 得られる知識 ・パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイス業界動向・パワーデバイスによる電力変換と高性能化・パワーチップおよびパワーモジュールの構造・ワイドギャップ半導体パワーデバイスの開発ターゲット・Siパワーデバイスの優位性と課題・ワイドギャップ半導体パワーデバイスの優位性と課題・日本の電子デバイス産業における失敗事例・パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位 プログラム 1．パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイス業界動向 1-1．パワーエレクトロニクスへの期待とパワーデバイスの適用分野 1-2．パワーデバイスによる電力変換とパワーデバイスの高性能化2．パワーチップおよびパワーモジュールの構造 2-1．パワーチップおよびパワーモジュールの構造 2-2．パワーチップおよびパワーモジュールの製造プロセス3．Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイスの技術開発 3-1．Siパワーデバイスの技術開発 3-2．SiCパワーデバイスの技術開発 3-3．GaNパワーデバイスの技術開発 3-4．酸化ガリウムパワーデバイスの技術開発4．日本の電子デバイス盛衰の歴史とパワーデバイスの将来展望 4-1．日本の電子デバイス盛衰の歴史 4-2．世界のパワーデバイスの状況 4-3．日本のパワーデバイスの将来展望5．まとめ