市場予測 – セミナーゲート（化学）

セミナー概要 セミナーのテーマ パワー半導体デバイスの最新技術動向 SiC/GaNパワーデバイスの特性と課題 SiC/GaNデバイスの実装技術と市場予測 こんな方におすすめです パワー半導体技術に関心のある技術者 自動車の電動化（xEV）関連の開発者 SiC/GaNデバイスの知識を深めたい方 自動車の電動化に向けた、シリコン、ＳｉＣ・ＧａＮパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向 ■パワー半導体デバイス、パッケージの最新技術動向■■Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題■■パワー半導体デバイス、SiC/GaN市場予測■■シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術■ ★ アーカイブ受講のみもOKです。★ パワエレ・パワーデバイスの基礎、シリコン、IGBT、SiC、GaN、酸化ガリウムパワーデバイスを俯瞰的に解説！ 講師 筑波大学 数理物質系 教授 岩室 憲幸 氏【経歴・研究内容・専門・ご活動など】1984年早稲田大学理工学部卒、1998年 博士（工学）（早稲田大学）富士電機株式会社に入社。1988年から現在までﾊﾟﾜｰﾃﾞﾊﾞｲｽｼﾐｭﾚｰｼｮﾝ技術、ＩＧＢＴ、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事1992年North Carolina State Univ. Visiting Scholar. MOS-gate thyristorの研究に従事1999年-2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事2009 年5月-2013年3月 産業技術総合研究所に出向。SiC-MOSFET、SBDの研究,量産技術開発に従事。2013年4月- 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る。IEEE Senior Member, 電気学会上級会員、応用物理学会会員【著書】1．「パワエレ技術者のためのSiCパワー半導体デバイス」（科学情報出版, 2024年2月）2．「車載機器におけるパワー半導体の設計と実装」 （科学情報出版, 2019年9月）3. “Springer Handbook of Semiconductor Devices” Editor M Rudan et al., Chapter “Silicon Power Devices 担当執筆, Springer Nature, 2023. 4．“Wide Bandgap Semiconductor Power Devices” Editor B.J.Baliga, Chapert 4 担当・執筆 (Elsevier, Oct. 2018)【監修書】1．「パワーエレクトロニクス技術の進展」 （㈱シーエムシー出版, 2024年9月）2．「次世代パワー半導体の開発・評価と実用化」（㈱エヌ・ティー・エス 2022年2月）、3．「次世代パワー半導体の開発動向と応用展開」（㈱シーエムシー出版, 2021年8月）【編集書】1．「世界を動かすパワー半導体 －IGBTがなければ電車も自動車も動かない-」（電気学会2008年12月 ）【受賞】日経エレクトロニクス パワーエレクトロニクスアワード2020 最優秀賞 (2020年12月)電気学会 第23回優秀活動賞 技術報告賞 (2020年4月)電気学会 優秀技術活動賞 グループ著作賞(2011年)【専門】シリコン、SiCパワー半導体設計、解析技術【WebSite】http://power.bk.tsukuba.ac.jp/https://youtu.be/VjorIIacez0 セミナー趣旨、ポイント 2025年現在、世界各国は自動車の電動化（xEV）開発に向け大きく進展している。現在その進展のスピードはやや減速していると言われているが、xEV化はもはや大きな潮流となった。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。特にSiCデバイスはすでにxEVへの搭載も始まっており、今後はシリコンIGBTをいかに凌駕していくかに注目が集まっている。 そこでポイントとなるのが、新材料SiCデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求にどう応えていくかであると思われる。最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、また最近注目され始めてきた新材料酸化ガリウムパワーデバイスの動向や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。 得られる知識 パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向。Si-MOSFET, IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。パワー半導体デバイスならびにSiC/GaN市場予測。シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術、酸化ガリウムパワーデバイス技術など。 プログラム １．パワーエレクトロニクス（パワエレ）とはなに 1-1 パワエレ&amp;パワーデバイスの仕事 1-2 パワー半導体の種類と基本構造 1-3 パワーデバイスの適用分野 1-4 最近のトピックスから 1-5 パワーデバイスのお客様は何を望んでいるのか？ 1-6 シリコンMOSFET・IGBTの伸長 1-7 ノーマリ－オフ・ノーマリーオン特性とはなに？ 1-8 パワーデバイス開発のポイント２．最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題 2-1 パワーデバイス市場の現在と将来 2-2 MOSFET特性改善を支える技術 2-3 IGBT特性改善を支える技術 2-4 IGBT薄ウェハ化の限界 2-5 IGBT特性改善の次の一手 2-6 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに 2-7 シリコンIGBTの実装技術３．SiCパワーデバイスの現状と課題 3-1 半導体デバイス材料の変遷 3-2 ワイドバンドギャップ半導体とは？ 3-3 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか 3-4 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか？ 3-5 SiC-MOSFETのSi-IGBTに対する勝ち筋 3-6 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題 3-7 SiC MOSFETコストダウンのための技術開発 3-8 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか 3-9 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは？ 3-10 内蔵ダイオード信頼性向上技術４．GaNパワーデバイスの現状と課題 4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか？ 4-2 GaNデバイスの構造 4-3 SiCとGaNデバイスの狙う市場 4-4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は？ 4-5 GaN-HEMTのノーマリ－オフ化 4-6 GaN-HEMTの最新技術動向（高耐圧化へ向けて） 4-7 縦型GaNデバイスの最新動向５．酸化ガリウムパワーデバイスの現状 5-1 酸化ガリウムの特徴は何 5-2 最近の酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況６．SiCパワーデバイス実装技術の進展 6-1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの 6-2 銀または銅焼結接合技術 6-3 SiC-MOSFETモジュール技術７．まとめ □質疑応答□