微細加工 – セミナーゲート（化学）

セミナー概要 セミナーのテーマ レジスト材料とプロセスの最適化 レジスト欠陥・トラブル対策 レジスト処理装置・シーケンスの最適化 こんな方におすすめです レジスト材料開発者 レジスト処理装置関連の技術者 リソグラフィ工程でトラブルを抱えている方 レジストリソグラフィー技術の基礎と実務およびトラブル対策 ～レジスト材料、プロセス、装置の最適化方法とパターン欠陥対策、量産技術～ 半導体、ディスプレイ、プリント基板、太陽電池、MEMS等、、レジストに携わっている方、これから携わる方は是非レジスト材料プロセス技術の高度化や深刻化するフォトレジストの品質が製品に与える影響に対応するためにレジストおよびその周辺に材料、装置、プロセスの各方面からアプローチしますレジストプロセスの最適化技術と各種特性評価法レジスト欠陥、トラブル発生メカニズム、プロセス・装置の最適化、付着・濡れ・欠陥等の不良・トラブル対策 講師 アドヒージョン株式会社 代表取締役社長 博士（工学） 河合 晃 氏国立大学法人長岡技術科学大学 名誉教授【略歴】 三菱電機（株）ULSI研究所にて10年間勤務し、電子デバイス開発・試作・量産移管・歩留り・工場管理の業務に従事し、半導体デバイスの高精度な微細加工、レジスト開発、コーティングおよび表面処理技術開発に従事した。その後、長岡技術科学大学にて勤務し、レジスト技術、エッチング技術、機能性薄膜、表面界面制御、ナノデバイスなどの先端分野の研究を実施している。各種論文査読委員、NEDO技術委員、国および公的プロジェクト審査員などを歴任。現在、長岡技術科学大学 名誉教授、ならびに、技術コンサルティング会社として、アドヒージョン（株）代表取締役社長を務める。産学連携・技術コンサルティング実績350件以上。【専門】電子デバイス、塗膜コーティング、クリーン化技術、接着など多分野に及ぶ。【活動】著書40件、原著論文166報、国際学会124件、国内学会212件、特許多数、受賞多数、講演会290回以上、日本接着学会評議員、応用物理学会会員【Webページ】http://www.adhesion.co.jp セミナー趣旨、ポイント レジスト技術は微細加工における主要技術の一つであり、半導体、ディスプレイ、プリント基板、太陽電池、MEMSなど、さまざまな電子産業分野において世界的に実用化されています。その市場規模は年間1,500億円に達し、年々拡大傾向にあります。一方で、レジスト材料およびプロセス技術の高度化に伴い、フォトレジストの品質が製品に与える影響もより深刻になってきています。 本セミナーでは、レジスト材料の開発者、レジスト処理装置関連の技術者、レジストユーザー、そしてリソグラフィ工程でトラブルを抱えている方々を対象に、フォトレジスト材料の特性、プロセス最適化の方法、付着・濡れ・欠陥といった各種トラブルへの対応策に焦点を当て、評価・解決のアプローチを丁寧に解説します。また、レジスト形状寸法制御、処理条件の設定方法、研究開発やトラブル対応など、実務における具体的な取り組み方についても、豊富な実例を交えて紹介します。さらに、レジストユーザーの視点とは何かについても、講師の実体験を踏まえて詳しくご説明いたします。受講者の皆様が日々直面しているトラブルやノウハウに関するご相談にも、個別に対応いたします。 こんな方におすすめ レジスト材料開発、電子デバイスメーカー、レジスト処理装置、プリント基板関係の技術者、および、レジスト材料を扱う方、レジストを使用して製品・開発を生産する方、レジスト分野の技術指導をする方など、広範囲の方を対象としています。 得られる知識 レジスト開発・レジスト処理装置開発・レジストを使用する上での基本的な考え方、ノウハウ、最適化法、トラブル対処法、ユーザー側での評価手法などが習得できます。 プログラム 1．レジスト概要（産業上の実用例） ・実用化トレンド（分類） ・ウェットエッチング用レジスト（アンダーカット） ・ドライエッチング用レジスト（選択比、プラズマ耐性） ・イオン注入用レジスト（注入イオン分布、残留イオン汚染） ・めっき用レジスト（ドライフィルム、金属配線形成） ・ソルダーレジスト（プリント基板） ・構造用レジスト（MEMS、光造形） ・厚膜用レジスト（段差平坦化、Orchardの式、多層レジストプロセス） ・カラーレジスト（ディスプレイ、顔料相分離）2．レジスト材料・プロセスの基礎(これだけは習得しておきたい) 2-1 レジスト材料とプロセスの最適化 ・レジストの光化学反応（ポジ、ネガ、化学増幅型、EUV、TMAH溶解） ・プロセスフロー（CAD設計、シフト量、ラインマッチング） ・ポジ型／ネガ型の選択基準（ピンホール転写欠陥） ・マルチパターニング技術（LELE、非解像補助パターンSRAF） ・直接描画技術（マスクレス、インクジェット） 2-2 露光描画技術の最適化 ・露光システム（回折光、ステッパー、スキャナー、液浸、EUV） ・レイリ―の式（解像力、焦点深度） ・重ね合わせ技術（TTL、アライメントマーク） ・位相シフト技術、ペリクル技術（高解像化とマスク欠陥対策） 2-3 レジスト寸法と形状の最適化 ・光学像コントラスト（光回折劣化） ・残膜曲線（感度、γ値、最適露光時間） ・溶解コントラスト（レジスト垂直性） ・現像コントラスト（現像液濃度の最適化） ・CD寸法制御１（露光量／フォーカス依存性、process window） ・CD寸法制御２（寸法リニアリティー、バルク効果、膜内多重反射） ・パターン断面改善（段差部変動） ・反射防止膜（TARC,BARC） ・プロセス制御（PEB、LENOS、イメージリバーサル） ・耐エッチングコントラスト（選択比、ローディング効果） ・シミュレーション技術 （レジスト形状、ノズル塗布、スピンコート、パターン内3次元応力解析） 2-4 レジスト処理装置・シーケンスの最適化とその要点 ・HMDS処理（シランカップリング、vapor処理、剥離防止） ・コーティング（スピン、膜厚分布、乱流、スプレー、スキャン塗布、ラミネート） ・現像（ディップ、パドル、スプレー） ・乾燥（ホットプレート、プロキシミティー、減圧、真空） ・レジスト除去（アッシング、剥離液、IPA乾燥、物理除去）3．レジスト欠陥・トラブル対策（歩留り向上の最優先対策とは） 3-1 致命欠陥とは ・欠陥と歩留まり（ウェットプロセスの貢献） ・配線上異物（致命／非致命欠陥、ショート／オープン欠陥、バブル欠陥） ・塗布ミスト（エッジ盛上り、EBRエッジバックリンス） ・接触異物（発塵、ウェハケース、ピンセット） 3-2 レジストパターン剥離メカニズムとその影響因子とは ・接着促進要因と剥離促進要因（バランスモデル、破断面解析） ・ドライ／ウェット中での付着エネルギー解析 （表面エネルギー、分散・極性成分マップ、付着／浸漬／拡張モデル） ・乾燥剥離（毛細管現象、パターン間メニスカス、エアートンネル） ・応力歪み、膨潤、軟化（応力集中、膜内浸透） ・検査用パターン（サイズ、形状依存性） ・パターン直接剥離解析（DPAT法） 3-3 レジスト膜欠陥と対策 ・ストリーエーション（スジ状膜厚むら） ・膜分裂（超薄膜化と自己組織化） ・乾燥むら（乾燥対流とベナールセル、光多重干渉） ・白化（ソルダーレジスト、ソルベントクラック） ・ピンホール、はじき（拡張濡れ対策） ・膨れ（ブリスター） ・現像バブル対策（界面活性剤）4．参考資料 ・塗膜トラブルQ&A事例集（トラブルの最短解決ノウハウ） ・表面エネルギーによる濡れ・付着性解析法（測定方法）5．質疑応答 （日頃の研究開発、トラブル相談にも応じます）

シリカ微粒子を使うための総合知識

レジストリソグラフィー技術の基礎と実務およびトラブル対策