材料除去メカニズム

セミナー概要 セミナーのテーマ CMP装置、スラリー、パッド、コンディショナーの技術解説 CMP材料除去メカニズムと最新モデルの紹介 CMPの応用事例（最新配線構造、3DNANDなど） こんな方におすすめです CMP技術、材料、装置に携わる技術者 半導体デバイス製造プロセスに関わるエンジニア 研磨技術に関心のある研究者 CMP技術とその最適なプロセスを実現するための実践的総合知識 ～装置、スラリー・研磨パッド等の消耗材料の技術、応用プロセス、研磨メカニズム～ CMP及び周辺の技術・材料・装置に携わる方々は是非CMP工程の各種メカニズムの解明とスラリー、パッド、コンディショナー、、、消耗材の開発・評価のヒントを提示研磨精度・デバイス表面平坦度の向上とスラリー・パッド等部材の低コスト化の両立を目指して最新配線構造、最新のトランジスタ構造、3DNAND、ウエハ接合、各種基板へのCMP応用技術材料の研磨と除去、構造形成するための加工技術としての技術を解説半導体等のデバイス製造において今やなくてはならないキープロセスの基礎と全貌 講師 株式会社ISTL 代表取締役社長 博士（工学） 礒部 晶 氏元日本電気、元ニッタハース、元ディスコ【講師紹介】https://www.science-t.com/lecturer/26742.html セミナー趣旨、ポイント CMPがデバイスの製造工程に用いられるようになって、すでに30年以上が経過した。当初はゲテモノ扱いされていた CMPも今やなくてはならないキープロセスとなっている。半導体デバイス製造における様々なCMP工程の特徴を紹介し、それに用いられる装置、スラリー、パッドの詳細を解説する。各種基板研磨や新たな応用についても解説する。さらに、CMPによる材料除去のメカニズムについて様々なモデルを紹介し、そこからパッドやスラリーの開発のヒントを提示する。 得られる知識 ○CMPに関わるあらゆる基礎知識～・装置技術、スラリー技術、パッド技術、コンディショナー技術・材料・プロセス評価技術・デバイス応用事例、様々な基板研磨技術○CMP材料除去メカニズムの変遷と最新モデル プログラム 1．CMP装置 1.1 CMP装置の構成 1.2 ヘッド構造 1.3 終点検出技術 1.4 APC 1.5 洗浄2．CMPによる平坦化 2.1 CMPによる平坦化工程の分類 2.2 平坦化メカニズム3．CMP消耗材料 3.1 各種スラリーの基礎 3.2 砥粒の変遷 3.3 添加剤の役割 3.4 スラリーの評価方法 3.5 研磨パッドの基礎 3.6 研磨パッドの評価方法 3.7 コンディショナーの役割4．CMPの応用 4.1 最新配線構造とCMPの詳細 4.2 最新のトランジスタ構造とCMP 4.3 3DNANDにおけるCMP 4.4 ウエハ接合技術とCMP 4.5 各種基板CMP5．CMPの材料除去メカニズム 5.1 研磨メカニズムモデルの歴史 5.2 新しいモデル～Feret径モデル 5.3 Feret径モデルの数値検証 5.4 Feret径モデルに基づく開発のヒント 5.5 研磨対象別材料除去メカニズムまとめ質疑応答