Si – セミナーゲート（化学）

セミナー概要 セミナーのテーマ Si, SiC, GaN, Ga₂O₃の技術進化と実装課題 パワーデバイスの材料別技術優位性と課題 パワーデバイス産業の将来展望と日本復活への道 こんな方におすすめです パワーエレクトロニクス製品/パワーデバイスの開発者 パワーエレクトロニクス製品/パワーデバイスの管理者 パワーエレクトロニクス製品/パワーデバイスの営業担当者 次世代パワーデバイス開発の最前線～Si・SiC・GaN・Ga₂O₃の技術進化と実装課題～ 量産課題と将来性から考えるパワーデバイス材料別の技術優位性と産業構造の変化 次世代パワーデバイス開発の全体像を、材料別に整理・比較。電動化社会を支える材料別戦略を一挙解説！パワーエレクトロニクス産業を支えるパワーデバイスの最新動向を、SiからSiC、GaN、Ga₂O₃まで広く取り上げ、各材料の特性・課題・量産性を詳細に解説します。また、今後日本が取るべき技術戦略と復活の鍵についても提言します。初学者にもわかりやすい構成で、研究・開発・事業企画に役立つ内容です。 講師 グリーンパワー山本研究所 所長 山本 秀和 氏 【専門】 半導体デバイス、半導体結晶【兼任および経歴】・FTB研究所 特別顧問 ・パワーデバイスイネーブリング協会 理事・千葉工業大学付属研究所 共同研究員・元 千葉工業大学教授・元 三菱電機パワーデバイス開発部長【執筆書籍】「パワーデバイス」（コロナ社）「ワイドギャップ半導体パワーデバイス」（コロナ社）、「現代電気電子材料」（共著、コロナ社）「半導体ＬＳＩ技術」（共著、共立出版）「次世代パワー半導体の高性能化と産業展開」（共著、シーエムシー出版）「はかる×わかる半導体 パワーエレクトロニクス編」（共著、日経BPｺﾝｻﾙﾃｨﾝｸﾞ）「半導体デバイスの不良・故障解析技術」（共著、日科技連出版社）「先端パワーデバイス実装技術」（共著、シーエムシー出版） セミナー趣旨、ポイント パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、Siデバイスの性能向上に限界が見えてきており、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。SiC、GaNおよびGa2O3は、物性値自身がパワーデバイスに適しており、試作されたデバイスの特性は、Siデバイスを凌駕します。しかしながら、結晶品質が劣る、信頼性に不安がある、歩留まりが低い、コストが高い等々、量産化には多くの課題があります。これまで、日本はパワーデバイス産業を牽引してきましたが、その地位は徐々に落ちてきています。Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイス進化の歴史、課題および将来展望、さらに、日本のパワーデバイス復活への有り方について、分かりやすく、かつ詳細に解説します。 こんな方におすすめ パワーエレクトロニクス製品/パワーデバイスの開発者、管理者、営業担当者※初心者の受講でも問題ない 得られる知識 ・パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイスの産業構造・パワーデバイスによる電力変換と用途・Siパワーデバイスの高性能化の歴史・ワイドギャップ半導体の高いポテンシャルと開発ターゲット・パワーデバイス用結晶の特異性・SiCパワーデバイスの優位性と課題・GaNパワーデバイスの優位性と課題・Ga2O3パワーデバイスの優位性と課題・パワーデバイス産業の将来展望と日本の復活 プログラム １．パワーエレクトロニクス／パワーデバイス産業 1.1 パワーエレクトロニクスの重要性 1.2 パワーデバイスの用途と産業構造２．パワーデバイスの構造と高性能化の歴史 2.1 パワーデバイスの構造と要求性能 2.2 Siパワーデバイスの高性能化３．SiCパワーデバイスの優位性と課題 3.1 SiCパワーデバイスの優位性 3.2 SiCパワーデバイスの課題４．GaNパワーデバイスの優位性と課題 4.1 GaNパワーデバイスの優位性 4.2 GaNパワーデバイスの課題５．Ga2O3パワーデバイスの優位性と課題 5.1 Ga2O3パワーデバイスの優位性 5.2 Ga2O3パワーデバイスの課題６．パワーデバイスの将来展望 6.1 パワーデバイス業界の動向 6.2 日本のパワーデバイスの地位低下と復活□質疑応答□