ドライエッチング技術の基礎と原子層エッチング（ALE）の最新技術動向

セミナー概要

セミナーのテーマ

ドライエッチング技術の基礎
原子層エッチング（ALE）技術と最新動向
半導体プロセス分野におけるDX

こんな方におすすめです

半導体プロセス技術に興味のある方
ドライエッチング技術について学びたい方
プラズマプロセス技術の基礎知識を習得したい方

セミナータイトル	ドライエッチング技術の基礎と原子層エッチング（ALE）の最新技術動向
開催日時	【オンライン配信】 2025年8月27日（水）10:30～16:30 お申し込み期限：2025年8月27日（水）10:00まで・このセミナーはアーカイブ付きです。　視聴期間：8月28日(木)～9月3日(水) ・セミナー終了後も繰り返しの視聴学習が可能です。・オンライン講習特有の回線トラブルや聞き逃し、振り返り学習にぜひ活用ください。
開催場所	オンライン【オンライン配信】・本セミナーは、主催会社様HPのマイページより視聴いただけます。・本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。【アーカイブ配信】・本セミナーは、主催会社様HPのマイページより視聴いただけます。・視聴期間は8/28から7日間を予定しています。またアーカイブは原則として編集は行いません。
受講料	55,000円各種割引特典あり。詳しくは主催会社のサイトをご参照ください。・E-Mail案内登録価格（割引）の適用・2名同時申込みで1名分無料の適用・テレワーク応援キャンペーン（オンライン配信セミナー1名受講限定）の適用・半導体産業応援キャンペーン（3名以上のお申込みでさらにおトク）の適用
主催	サイエンス＆テクノロジー
備考	配布資料はPDFデータ(印刷可・編集不可) ※開催2日前を目安に、主催会社様HPのマイページよりダウンロード可となります。

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ドライエッチング技術の基礎と原子層エッチング（ALE）の最新技術動向

■最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術■
■半導体プロセス分野のデジタル・トランスフォーメーション（DX）■

★ アーカイブ受講のみもOKです。
★ 最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説します。

講師

大阪大学エマージングサイエンスデザインR³センター特任教授・名誉教授　浜口智志　氏
【経歴】
1982年東京大学理学部物理学科卒業
1987年同大学院理学系研究科物理学専攻博士課程修了
1988年ニューヨーク大学大学院数学科博士課程修了
1988年-1990年テキサス大学物理学科核融合研究所（IFS)　研究員
1990年-1998年IBM ワトソン研究所主任研究員
1998年-2004年京都大学エネルギー科学研究科・助教授
2004年-2025年　大阪大学工学研究科・教授
2025年-現在　大阪大学エマージングサイエンスデザインR³センター特任教授（常勤）・名誉教授

【学位】理学博士、Ph.D. in mathematics
【専門】プラズマ物理学、プラズマプロセス工学、核融合科学
【学会活動】国際真空科学技術応用国際連合（IUVSTA)プラズマ科学技術分科会(PSTD)長、Journal of Plasma Medicine 編集委員長、ライプニッツ・プラズマ科学技術研究所（ドイツ）科学諮問評議会委員、プラズマ医療国際学会（IPMS)元会長、米国真空学会(AVS) プラズマ科学技術分科会(PSTD)長、等。
【受賞】2016:プラズマ賞・米国真空学会（AVS), 2012:米国物理学会（APS)フェロー、2011:AVSフェロー、2019ドイツ研究振興協会メルカトールフェロー、2022：日本学術振興会プラズマ材料科学第153委員会プラズマ材料科学賞　等
【WebSite】http://www.camt.eng.osaka-u.ac.jp/hamaguchi/

セミナー趣旨、ポイント

　本講座では、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説し、特に、近年注目を集める原子層エッチング（ALE）技術について、表面反応機構から最新技術動向までを詳しく紹介する。関連項目として、プラズマＣＶＤと原子層堆積（ALD)プロセス、および、現在進行しつつあるプロセス開発におけるデジタル・トランスフォーメーション（DX)の最新研究動向についても、概要を紹介する。プラズマプロセスの初心者でも聴講できる講義内容を目指す。

得られる知識

・プラズマプロセスの基礎知識
・ドライエッチングの基礎知識
・原子層エッチング（ALE)の基礎知識と最新技術動向

プログラム

１．背景

２．プラズマ科学の基礎

３．代表的なプラズマプロセス装置

４．反応性イオンエッチング（RIE）の基礎
　4.1 プラズマ表面相互作用
　4.2 表面帯電効果
　4.3 シリコン系材料エッチング反応機構
　4.4 金属・金属酸化物材料エッチング反応機構
　4.5 高アスペクト比（HAR)エッチング概要

５．プラズマCVD概要：原子層堆積（ALD)の基礎として

６．ALDプロセスの概要：原子層エッチング（ALE）の逆過程として
　6.1 熱ALD
　6.2 プラズマ支援(PA-)ALD

７．ALEプロセスの概要と最新技術動向
　7.1 PA-ALE
　7.2 熱ALE：リガンド交換
　7.3 熱ALE：金属錯体形成

８．半導体プロセス分野のデジタル・トランスフォーメーション（DX）
　8.1 プロセス数値シミュレーションとTCAD(technical computer aided design)
　8.2 仮想計測(VM)とプロセス装置制御
　8.3 マテリアルズ・インフォマティクス
　8.4 プロセス開発における機械学習（ML)・AIの活用

９．まとめ

　　□質疑応答□

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