<半導体デバイス向けプラズマ装置による高品質成膜へ>プラズマCVD(化学気相堆積)装置による高品質薄膜の成膜技術、および量産化対応

このセミナーは終了しました

セミナー概要

セミナーのテーマ

  • 半導体デバイス向けプラズマCVD装置の基本構造と用途
  • 高品質薄膜成膜技術とプロセス性能の向上
  • プラズマCVD装置の課題と量産化対応

こんな方におすすめです

  • 半導体デバイスの成膜技術に関心がある方
  • プラズマCVD装置の開発・評価に携わる技術者
  • 高品質薄膜成膜や量産化の課題解決を目指す方
セミナータイトル<半導体デバイス向けプラズマ装置による高品質成膜へ>プラズマCVD(化学気相堆積)装置による高品質薄膜の成膜技術、および量産化対応
開催日時

【オンライン配信】
2025年6月19日(木)13:00~16:30
お申し込み期限:2025年6月19日(木)12:30まで

・このセミナーはアーカイブ付きです
 視聴期間:2025/6/20(金)~2025/6/26(木)
・セミナー終了後も繰り返しの視聴学習が可能です。
・オンライン講習特有の回線トラブルや聞き逃し、振り返り学習にぜひ活用ください。

開催場所

オンライン

【オンライン配信】
・本セミナーは、主催会社様HPのマイページより視聴いただけます。
・本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。

【アーカイブ配信】
・本セミナーは、主催会社様HPのマイページより視聴いただけます。
・視聴期間は終了翌日から7日間を予定しています。またアーカイブは原則として編集は行いません。

受講料49,500円

各種割引特典あり。詳しくは主催会社のサイトをご参照ください。
・E-Mail案内登録価格(割引)の適用
・2名同時申込みで1名分無料の適用
・テレワーク応援キャンペーン(オンライン配信セミナー1名受講限定)の適用
・半導体産業応援キャンペーン(3名以上のお申込みでさらにおトク)の適用

主催サイエンス&テクノロジー
備考配布資料はPDFデータ(印刷可・編集不可)
※開催2日前を目安に、主催会社様HPのマイページよりダウンロード可となります。
※アーカイブ配信受講の場合は、配信開始日からダウンロード可となります。

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<半導体デバイス向けプラズマ装置による高品質成膜へ>プラズマCVD(化学気相堆積)装置による高品質薄膜の成膜技術、および量産化対応

■装置メーカーの立場から、プラズマCVD装置の技術/課題と対策を解説■

★ アーカイブ受講のみもOKです。
★ 30年以上の実績・経験がある装置メーカーから、実務レベルで解説いたします!

講師

SPPテクノロジーズ(株)
製造部 次長 兼 生産管理グループ長 兼 マーケティング部 マネジャー 金尾 寛人 氏
【経歴・研究内容・専門・活動】
1989年3月 名古屋工業大学 工学部 第一部 電気情報工学科を卒業.
1989年4月 住友金属工業(株)に入社.
Si基板上GaAs膜のヘテロエピタキシー成膜技術の研究開発(1年)や半導体デバイス向けECRプラズマ装置による成膜、エッチング技術の研究開発及び商品開発(10年)
2000年4月 住友精密工業(株)に入社(派遣、2002年3月転籍、2011年12月にSPPテクノロジーズに出向)
MEMSや光デバイス向けプラズマ装置による成膜、エッチング技術の研究開発及び商品開発(3年半)
装置全般の技術営業、マーケティング(現在)
【WebSite】
https://www.spp-technologies.co.jp/

セミナー趣旨、ポイント

 当社は、1989年から「研究開発用半導体一貫製造システム」の開発を開始して、装置メーカーとして、30年以上の実績・経験があります。この講演では、プラズマCVD装置に関して、開発してきた技術や課題と対策を中心にご紹介いたします。

得られる知識

プラズマCVD装置に関して、開発してきた技術や課題と対策について知ることができます。

プログラム

1.プラズマCVD装置の基本構造
 1.1 プラズマCVD装置の構成
 1.2 反応チャンバーの基本構成

2.プラズマCVD装置の用途
 2.1 適用アプリケーション

3.プラズマCVD装置のプロセス性能
 3.1 SiH4系SiO2膜
 3.2 SiH4系SiN膜
 3.3 SiH4系SiON膜
 3.4 SiH4系a-Si膜
 3.5 SiH4系SiC膜
 3.6 TEOS系SiO2膜
 3.7 液体ソース系SiN膜

4.開発用装置と量産用装置
 4.1 プラットフォーム

5.プラズマCVD装置の課題と対策
 5.1 高レート化
 5.2 プロセスの再現性
 5.3 低パーティクル
 5.4 チャンバークリーニング
 5.5 ウェーハ温度の低温化
 5.6 ウェーハ大口径化  など

  □質疑応答□

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