セミナー概要
セミナーのテーマ
- リソグラフィの基礎と応用
- レジスト/EUVレジストの詳細と種類
- レジスト・先端リソグラフィのトラブル対策と最新技術
こんな方におすすめです
- 半導体製造技術に関心のある方
- リソグラフィ、レジスト技術について学びたい方
- EUVレジストに関する知識を深めたい方
| セミナータイトル | リソグラフィ、レジスト/EUVレジストの基礎とトラブル対策 |
| 開催日時 | 【ライブ配信】 2025年10月17日（金）10:30～16:30 【アーカイブ配信】 |
| 開催場所/配信の補足・注意事項 | 【Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順】 |
| 受講料 | 55,000円（税込、資料付） ■会員（案内）登録していただいた場合、通常1名様申込で55,000円（税込）から |
| 主催 | R&D支援センター |
受付中
リソグラフィ、レジスト/EUVレジストの基礎とトラブル対策
★リソグラフィ、レジストの基礎からEUVレジストの特性、課題と対策まで解説！
講師
Eリソリサーチ 代表 工学博士 遠藤 政孝 氏
＜専門＞
リソグラフィ、レジスト、高分子化学
＜略歴＞
1983年松下電器産業株式会社入社。以来同社半導体研究センター、パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センターにて、リソグラフィ、レジストの開発に従事。
2009年から大阪大学産業科学研究所にて、レジスト、EUVレジストの研究開発に従事。2024年からEリソリサーチを設立。レジスト、リソグラフィ、先端パッケージのコンサルティング、技術調査、講演活動を実施。
セミナー趣旨、ポイント
メモリー、マイクロプロセッサ等のデバイスの高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い、益々大きくなっている。微細加工を支えるリソグラフィ技術は現在先端の量産工程でダブル/マルチパターニング、EUVが用いられている。レジスト材料はこのようなリソグラフィ技術の変革に対応して進展し続けている。
本講演では、リソグラフィの基礎を解説した後、デバイスの微細化を支えるレジストの基礎をEUVレジスト（化学増幅型EUVレジスト、EUVネガレジストプロセス、EUVメタルレジスト、EUVメタルドライレジストプロセス）の詳細を含めて述べる。レジスト、先端リソグラフィのトラブル対策をその要求特性、課題をふまえて解説する。EUVレジストの課題と対策についても述べる。最新のロードマップを解説し、今後のレジストの技術展望、市場動向についてまとめる。
得られる知識
・レジスト/EUVレジストの基礎
・リソグラフィの基礎
・レジスト/EUVレジスト、先端リソグラフィのトラブル対策
・リソグラフィ、レジスト/EUVレジストの最新技術・ビジネス動向
プログラム
1．リソグラフィの基礎
1-1．露光
1-2．照明方法
（1）輪帯照明
1-3．マスク
（1）位相シフトマスク
（2）光近接効果補正（OPC）
（3）マスクエラーファクター（MEF）
2．レジストの基礎
2-1．溶解阻害型レジスト
（1）g線レジスト
（2）i線レジスト
2-2．化学増幅型レジスト
（1）KrFレジスト
（2）ArFレジスト
2-3．ArF液浸レジスト/トップコート
2-4．EUVレジスト
（1）化学増幅型EUVレジスト
（2）EUVネガレジストプロセス
（3）EUVメタルレジスト
（4）EUVメタルドライレジストプロセス
3．レジスト、先端リソグラフィのトラブル対策
3-1．レジストパターン形成不良への対応
（1）パターン倒れ
（2）パターン密着性不良
（3）パターン形状不良
（4）チップ内のパターン均一性不良
3-2．化学増幅型レジストのトラブル対策
（1）レジスト材料の安定性
（2）パターン形成時の基板からの影響
（3）パターン形成時の大気からの影響
3-3．ダブルパターニング、マルチパターニングの課題と対策
（1）リソーエッチ（LE）プロセス
（2）セルフアラインド（SA）プロセス
3-4．EUVレジストの課題と対策
（1）感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
（2）ランダム欠陥（Stochastic Effects）
3-5．自己組織化（DSA）リソグラフィの課題と対策
（1）グラフォエピタキシー
（2）ケミカルエピタキシー
3-6．ナノインプリントリソグラフィの課題と対策
（1）加圧方式ナノインプリントリソグラフィ
（2）光硬化方式ナノインプリントリソグラフィ
4．最新のロードマップとレジストの技術展望、市場動向
受付中