ダイヤモンド半導体の最前線と高性能パワーデバイスの開発・評価法

  • 開催日2025年10月22日(水)
  • 形態ライブ配信 or アーカイブ配信

セミナー概要

セミナーのテーマ

  • ダイヤモンドの物理特性とパワーデバイスとしてのポテンシャル
  • ダイヤモンド半導体結晶の作製技術(成長、ドーピング)
  • ダイヤモンドパワーデバイス作製技術(ダイオード、FET)

こんな方におすすめです

  • ワイドギャップ半導体を用いた材料・デバイス開発に興味のある研究者・技術者
  • ダイヤモンド半導体材料・デバイス開発の近年の状況に興味のある研究者・技術者
セミナータイトルダイヤモンド半導体の最前線と高性能パワーデバイスの開発・評価法
開催日時 【ライブ配信】

2025年10月22日(水)13:00~16:00
お申し込み期限:2025年10月22日(水)12:30まで

【アーカイブ配信】
視聴期間:2025年10月23日(木)~2025年11月5日(水)
お申し込み期限:2025年10月23日(木)まで

開催場所/配信の補足・注意事項

【Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順】
1.Zoomを使用されたことがない方は、下記よりミーティング用Zoomクライアントをダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。
https://zoom.us/download#client_4meeting
2.セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。
3.開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加ください。

・セミナー資料は開催前日までにPDFにてお送りいたします。※紙媒体での配布はございません。
・無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。

受講料49,500円(税込、資料付)

■会員(案内)登録していただいた場合、通常1名様申込で49,500円(税込)から
 ・1名で申込の場合、46,200円(税込)へ割引になります。
 ・2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、
  計49,500円(2人目無料)です。
 ・10名以上で申込される場合はさらにお得にご受講いただけます。
  お気軽にご相談ください。info@rdsc.co.jp

※LIVE配信とアーカイブ配信(見逃し配信)両方の視聴を希望される場合、お一人様につき、追加料金11,000円(税込)にてお申込みいただけます。
メッセージ欄に「LIVEとアーカイブ両方視聴」と明記してください。

※会員登録とは
ご登録いただきますと、セミナーや書籍などの商品をご案内させていただきます。
すべて無料で年会費・更新料・登録費は一切かかりません。
メールまたは郵送でのご案内となります。
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主催R&D支援センター

受付中

ダイヤモンド半導体の最前線と高性能パワーデバイスの開発・評価法

講師

早稲田大学大学院情報生産システム研究科 教授 博士(理学) 植田 研二 氏

【略歴】
・2000年3月 大阪大学理学研究科(博士課程後期)化学専攻修了、博士(理学)
・2000年4月~2001年1月 大阪大学産業科学研究所 博士研究員
・2001年2月~2009年3月 NTT物性科学基礎研究所 研究員
・2009年4月~2022年3月 名古屋大学工学研究科 准教授
 (2011年3~8月 Neel Institute, CNRS, France, 客員研究員 兼務)
・2022年4月~ 現職 
   早稲田大学大学院情報生産システム研究科 教授
    (2022年6月~2023年3月 名古屋大学工学研究科 客員教授 兼務)

【学協会での役職等】
・日本応用物理学会東海支部幹事 , 2014年4月 ~2022年3月
・日本磁気学会 企画委員会委員, 2017年9月 ~2021年 3月
・日本応用物理学会APEX-JJAP編集委員:2010年4月 ~ 2016年3月
・日本真空学会 SP部会(スパッタリング及びプラズマプロセス技術部会)幹事 、2010年4月 ~ 2014年3月
・日本真空学会東海支部幹事、2013年2月 ~ 2014年1月
・国際学会SSDM論文委員(エリア8)2011-2013 , 2011年4月 ~ 2014年3月

セミナー趣旨、ポイント

ダイヤモンドは大きなバンドギャップ(5.45 eV)や、高い移動度(~2000 cm/V・s)、高絶縁破壊電圧(~6 MV/cm),高熱伝導度(~22 W/cm・K)等の優れた物理特性を有する事から,次世代パワーデバイス材料として期待されている。また、大バンドギャップ及び高熱伝導度に加え,化学安定性にも優れている事から極限環境下(高温や放射線下等)で動作するパワーデバイスとしても期待されている。本講座では、ダイヤモンド半導体を用いたデバイス、特にダイヤモンドパワーデバイスに関してその作製技術や測定、解析技術及び最新の技術動向について分かり易く解説を行う。

受講対象者、必要な予備知識

特に予備知識は必要ありません。

こんな方におすすめ

・ワイドギャップ半導体を用いた材料・デバイス開発に興味のある研究者・技術者
・ダイヤモンド半導体材料・デバイス開発の近年の状況に興味のある研究者・技術者

得られる知識

ダイヤモンド半導体パワーデバイス開発や研究の最前線について理解できる

プログラム

1. はじめに
 1-1 ダイヤモンドの物理特性と半導体パワーデバイスとしてのポテンシャル
 1-2 ダイヤモンド半導体研究の歴史

2. ダイヤモンド半導体結晶の作製技術
 2-1 ダイヤモンド単結晶成長技術(高温高圧合成法等)
 2-2 ダイヤモンド薄膜結晶成長(ホモエピ、ヘテロエピ成長)
 2-3 ダイヤモンド半導体のドーピング技術(in-situドープ、イオン注入等)
 2-4 ダイヤモンド終端面と伝導特性制御

3. ダイヤモンド半導体パワーデバイス作製技術
 3-1 ダイヤモンドショットキーダイオード
 3-2 ダイヤモンドPNダイオード
 3-3 ダイヤモンド電界効果トランジスタ(FET)
 3-4 その他のダイヤモンドデバイス(バイポーラトランジスタ等)

4. まとめ
 4-1 ダイヤモンドパワーデバイスの課題
 4-2 今後の展望

受付中