セミナー概要
セミナーのテーマ
- ウェットエッチングの基礎メカニズム
- アンダーカット形状の最適化と高精度化
- トラブルシューティングと解決策
こんな方におすすめです
- ウェットエッチング業務に携わる方
- 電子デバイス、プリント基板関連企業の技術者
- 薬剤、装置関連企業の技術者
| セミナータイトル | ウェットエッチングの基礎と形状コントロール及びトラブル対策とノウハウ |
| 開催日時 | 【ライブ配信】 2025年10月3日（金）10:30～16:30 |
| 開催場所/配信の補足・注意事項 | 【Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順】 |
| 受講料 | 55,000円（税込、資料付） ■会員（案内）登録していただいた場合、通常1名様申込で55,000円（税込）から |
| 主催 | R&D支援センター |
受付中
ウェットエッチングの基礎と形状コントロール及びトラブル対策とノウハウ
講師
アドヒージョン（株） 代表取締役社長 博士（工学） 河合 晃 氏
http://www.adhesion.co.jp
国立大学法人 長岡技術科学大学 名誉教授
【略歴】
三菱電機（株）ULSI研究所にて10年間勤務し、電子デバイス開発・試作・量産移管・歩留り・工場管理の業務に従事し、半導体デバイスの高精度な微細加工、ウェット/ドライエッチング、コーティングおよび表面処理技術開発に従事した。その後、長岡技術科学大学にて勤務し、エッチング技術、機能性薄膜、表面界面制御、ナノデバイスなどの先端分野の研究を実施している。各種論文査読委員、NEDO技術委員、国および公的プロジェクト審査員などを歴任。現在、長岡技術科学大学 名誉教授、ならびに、技術コンサルティング会社として、アドヒージョン（株）代表取締役社長を務める。著書40件、原著論文166報、国際学会124件、国内学会212件、特許多数、受賞多数、講演会270回以上、日本接着学会評議員、応用物理学会会員、産学連携・技術コンサルティング実績350件以上。
セミナー趣旨、ポイント
ウェットエッチングは工業的にも歴史が古く、半導体デバイス、高周波プリント基板、液晶デバイスなど、さまざまな先端分野において主力の加工技術となっています。ウェットエッチングは量産性、コスト性、設備の簡易さに優れているほか、エッチングと同時にウェット洗浄を行える特長を有しています。近年では、ウェットエッチングによるアンダーカット形状の高精度化が求められています。本セミナーでは、ウェットエッチングの基礎メカニズムに重点を置きながら、高精度化やトラブル対策について解説します。さらに、表面エネルギー解析や応力・歪み解析による界面設計についても取り上げます。日頃の技術開発やトラブル相談にも個別に対応いたします。
受講対象者、必要な予備知識
化学・物理の基礎知識
こんな方におすすめ
ウェットエッチング業務に携わる方、ならびに電子デバイス、プリント基板、薬剤、装置関連企業の技術者の方々
得られる知識
・ウェットエッチングの基礎メカニズム
・コントロール要因
・形状制御技術
プログラム
１．ウェットエッチングの基礎
1-1 加工技術としての位置づけ
1-1-1 産業応用（半導体、液晶、プリント基板、５G応用、ゲノム）
1-1-2 設計値とシフト量（アンダーカット）
1-2 基本プロセスフロー（前処理、マスク作製、エッチング、マスク除去）
1-3 プロセス支配要因（濡れ、律速、反応速度）
1-4 エッチング機構
1-4-1 超純水（機能水、帯電防止、酸化防止、水素水）
1-4-2 エッチング液（被加工膜対応、界面活性剤）
1-4-3 電位-ｐH図（プールベイ図）
1-4-2 等方性エッチング（エッチファクター、Si、Cu、Al）
1-4-3 結晶異方性エッチング（結晶方位依存性、Si単結晶）
1-5 エッチングマスク
1-5-1 マスク剤の選定（レジスト膜、無機膜）
1-5-2 マスク剤の最適化（マスク形成と高精度化）
1-5-3 マスクの形状劣化（熱だれ、転写特性）
1-5-4 マスク内の応力分布と付着強度（応力集中と緩和理論）
1-5-5 エッチング液の浸透（CLSM解析）
1-6 被加工表面の最適化（表面被膜、汚染、欠陥の影響）
1-6-1 被加工膜の材質依存性（不働態膜、WBL、CH系汚染）
1-6-2 表面汚染（大気中酸化、液中酸化）
1-6-3 表面前処理（疎水化および親水化）
1-7 処理装置
1-7-1 液循環
1-7-2 ディップ
1-7-3 シャワー
1-7-4 スピンエッチ
1-7-5 フィルタリング
２．アンダーカット形状の最適化
2-1 支配要因
2-1-1 界面濡れ性
2-2-2 応力集中
2-2-3 液循環
2-2-4 マスク耐性
2-2 形状コントロール（エッチングラインの高精度化）
2-3 高精度形状計測
2-3-1 断面SEM
2-3-2 定在波法
2-3-3 光干渉法
2-3-4 X線CT
３．トラブル要因と解決方法（最短の解決のために）
3-1 マスクパターンの剥離メカニズム
3-1-1 付着・ぬれエネルギーWa（ドライ中）
3-1-2 拡張・浸透エネルギーS（ウェット中）
3-1-3 円モデル
3-2 エッチング液の濡れ不良（ピンニング不良）
3-3 エッチング開始点の遅れ（コンタクトラインのVF変形）
3-4 ホールパターンの気泡詰まり（界面活性剤）
3-5 エッチング表面の荒れ（気泡、異物）
3-6 金属汚染（RCA洗浄）
3-7 レジスト除去
3-7-1 ウェット方式
3-7-2 ドライ方式
3-7-3 物理除去
3.8 再付着防止
3-8-1 DLVO理論
3-8-2 ゼータ電位
3.9 乾燥痕
3-9-1 マランゴニー対流
3-9-2 IPA蒸気乾燥
４．環境対策
4-1 廃液処理
4-2 排ガス・ミスト処理
５．質疑応答
（日頃の技術開発およびトラブル相談に個別に応じます）
参考資料
・表面エネルギーによる濡れ・付着性解析（測定方法）
受付中