FET – セミナーゲート（化学）

セミナー概要 セミナーのテーマ ダイヤモンドの物理特性とパワーデバイスとしてのポテンシャル ダイヤモンド半導体結晶の作製技術（成長、ドーピング） ダイヤモンドパワーデバイス作製技術（ダイオード、FET） こんな方におすすめです ワイドギャップ半導体を用いた材料・デバイス開発に興味のある研究者・技術者 ダイヤモンド半導体材料・デバイス開発の近年の状況に興味のある研究者・技術者 ダイヤモンド半導体の最前線と高性能パワーデバイスの開発・評価法 講師 早稲田大学大学院情報生産システム研究科 教授 博士（理学） 植田 研二 氏【略歴】・2000年3月 大阪大学理学研究科（博士課程後期）化学専攻修了、博士（理学）・2000年4月～2001年1月 大阪大学産業科学研究所 博士研究員・2001年2月～2009年3月 NTT物性科学基礎研究所 研究員・2009年4月～2022年3月 名古屋大学工学研究科 准教授 （2011年3～8月 Neel Institute, CNRS, France, 客員研究員 兼務）・2022年4月～ 現職 早稲田大学大学院情報生産システム研究科 教授 （2022年6月～2023年3月 名古屋大学工学研究科 客員教授 兼務）【学協会での役職等】・日本応用物理学会東海支部幹事 , 2014年4月 ～2022年3月・日本磁気学会 企画委員会委員, 2017年9月 ～2021年 3月・日本応用物理学会APEX-JJAP編集委員：2010年4月 ～ 2016年3月・日本真空学会 SP部会（スパッタリング及びプラズマプロセス技術部会）幹事 、2010年4月 ～ 2014年3月・日本真空学会東海支部幹事、2013年2月 ～ 2014年1月・国際学会SSDM論文委員（エリア8）2011-2013 , 2011年4月 ～ 2014年3月 セミナー趣旨、ポイント ダイヤモンドは大きなバンドギャップ（5.45 eV）や、高い移動度（~2000 cm/V・s）、高絶縁破壊電圧（~6 MV/cm），高熱伝導度（~22 W/cm・K）等の優れた物理特性を有する事から，次世代パワーデバイス材料として期待されている。また、大バンドギャップ及び高熱伝導度に加え，化学安定性にも優れている事から極限環境下（高温や放射線下等）で動作するパワーデバイスとしても期待されている。本講座では、ダイヤモンド半導体を用いたデバイス、特にダイヤモンドパワーデバイスに関してその作製技術や測定、解析技術及び最新の技術動向について分かり易く解説を行う。 受講対象者、必要な予備知識 特に予備知識は必要ありません。 こんな方におすすめ ・ワイドギャップ半導体を用いた材料・デバイス開発に興味のある研究者・技術者・ダイヤモンド半導体材料・デバイス開発の近年の状況に興味のある研究者・技術者 得られる知識 ダイヤモンド半導体パワーデバイス開発や研究の最前線について理解できる プログラム 1. はじめに 1-1 ダイヤモンドの物理特性と半導体パワーデバイスとしてのポテンシャル 1-2 ダイヤモンド半導体研究の歴史2. ダイヤモンド半導体結晶の作製技術 2-1 ダイヤモンド単結晶成長技術（高温高圧合成法等） 2-2 ダイヤモンド薄膜結晶成長（ホモエピ、ヘテロエピ成長） 2-3 ダイヤモンド半導体のドーピング技術（in-situドープ、イオン注入等） 2-4 ダイヤモンド終端面と伝導特性制御3. ダイヤモンド半導体パワーデバイス作製技術 3-1 ダイヤモンドショットキーダイオード 3-2 ダイヤモンドPNダイオード 3-3 ダイヤモンド電界効果トランジスタ（FET） 3-4 その他のダイヤモンドデバイス（バイポーラトランジスタ等）4. まとめ 4-1 ダイヤモンドパワーデバイスの課題 4-2 今後の展望